新闻中心

EEPW首页 > EDA/PCB > 业界动态 > 光电芯片制造重大突破!我国科学家首获纳米级光雕刻三维结构

光电芯片制造重大突破!我国科学家首获纳米级光雕刻三维结构

作者:时间:2022-09-20来源:快科技收藏

  从技术竞争的角度来看,光芯片被认为是与国外研究进展差距最小的芯片技术,被寄予了中国“换道超车”的希望。

本文引用地址:/article/202209/438369.htm

  据媒体报道,9月14日晚,我国科学家在国际顶级学术期刊《自然》发表了最新研究,首次得到纳米级三维结构,在下一代制造领域的获得重大突破。

  这一重大发明,未来或可开辟制造新赛道,有望用于光电调制器、声学滤波器、非易失铁电存储器等关键光电器件芯片制备,在5G/6G通讯、光计算、人工智能等领域有广泛的应用前景。

  据介绍,南京大学张勇、肖敏、祝世宁领衔的科研团队,发明了一种新型“非互易飞秒激光极化铁电畴”技术,将飞秒脉冲激光聚焦于材料“铌酸锂”的晶体内部,通过控制激光移动的方向,在晶体内部形成有效电场,实现三维结构的直写和擦除。

  这一新技术突破了传统飞秒激光的光衍射极限,把铌酸锂三维结构的尺寸,从传统的1微米量级(相当于头发丝的五十分之一),首次缩小到纳米级,达到30纳米,大大提高了加工精度。



关键词: 光电芯片 光雕刻

评论


技术专区

关闭

  • <tr id='zu6gu'><strong id='mou1g'></strong><small id='4tohu'></small><button id='65rcu'></button><li id='2rkpp'><noscript id='zrq54'><big id='37cvp'></big><dt id='ek2x4'></dt></noscript></li></tr><ol id='3ee0x'><option id='dfz50'><table id='dhbn4'><blockquote id='44ees'><tbody id='783bu'></tbody></blockquote></table></option></ol><u id='ab20m'></u><kbd id='8piw0'><kbd id='2h4az'></kbd></kbd>

    <code id='la94u'><strong id='k2z8e'></strong></code>

    <fieldset id='amxvy'></fieldset>
          <span id='m83w7'></span>

              <ins id='tvp0r'></ins>
              <acronym id='iql1a'><em id='oxl0a'></em><td id='e2b2d'><div id='dyzn8'></div></td></acronym><address id='5ai7j'><big id='8y0my'><big id='6lytu'></big><legend id='37wkm'></legend></big></address>

              <i id='85877'><div id='4034i'><ins id='p81au'></ins></div></i>
              <i id='w92ik'></i>
            1. <dl id='ue8ln'></dl>
              1. <blockquote id='04ekk'><q id='s3vb7'><noscript id='jxez5'></noscript><dt id='9rr6t'></dt></q></blockquote><noframes id='klt1c'><i id='bk6ga'></i>

                新宝7